STGAP2HSMTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8W
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、隔离电压 5 kV，采用 SO-8W 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录STGAP2SICDTR
STMicroelectronics · 封装：SO-36W
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC）、逻辑类型 CMOS, TTL、隔离电压 5 kV，采用 SO-36W 封装。STGAP2SAC
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 4 V、电源电压（最小值） 3.1 V、输出电压 26 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SO-8 封装。STGAP2HSACTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、输出电压 26 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SO-8 封装。STGAP3S6STR
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、输出电压 26 V、输出电流 10 A、技术 Si，采用 SO-16 封装。STGAP3S6ITR
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、输出电压 26 V、输出电流 10 A、技术 Si，采用 SO-16 封装。STGAP4STR
STMicroelectronics · 封装：SO-36W
主要参数包括通道数 2 个通道、最大连续输出电流 2.5 A、输出电流 2.4 A、技术 碳化硅（SiC）、逻辑类型 Rail to Rail、类型 Galvanically Isolated Gate Drivers，采用 SO-36W 封装。STGAP3SXITR
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、输出电压 26 V、输出电流 10 A、技术 Si，采用 SO-16 封装。STGAP2GSNCTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、传播延迟（最大值） 93 ns、上升时间 30 ns，采用 SO-8 封装。STGAP2SICSACTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.1 V、最大连续输出电流 4 A、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC），采用 SO-8 封装。STGAP2SICSANCTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.1 V、最大连续输出电流 4 A、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC），采用 SO-8 封装。STGAP2GSCTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8W
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、隔离电压 5 kV、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、传播延迟（最大值） 93 ns，采用 SO-8W 封装。STGAP2HSCMTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8W
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、隔离电压 5 kV，采用 SO-8W 封装。STGAP2SICSNCTR
STMicroelectronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。STGAP2SICSTR
STMicroelectronics
主要参数包括隔离电压 5 kV、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。STGAP2SICS
STMicroelectronics · 封装：SO-8W
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge、隔离电压 5 kV，采用 SO-8W 封装。STGAP2SICSCTR
STMicroelectronics
主要参数包括隔离电压 5 kV、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。UCC21540QDWKRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电压 18 V、输出电流 6 A、逻辑类型 CMOS, TTL、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。UCC21732DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电压 17.5 V、输出电流 10 A、技术 碳化硅（SiC）、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-16 封装。UCC21739QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电压 13～33 V、输出电流 10 A、技术 碳化硅（SiC）、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。