STMicroelectronics
STGAP2SICDTR
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC）、逻辑类型 CMOS, TTL、隔离电压 5 kV，采用 SO-36W 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- Galvanically Isolated Gate Drivers
- 封装
- SO-36W
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
20 项参数- 隔离电压
- 5 kV
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 传播延迟（最大值）
- 90 ns
- 上升时间
- 30 ns
- 下降时间
- 30 ns
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 逻辑类型
- CMOS, TTL
- 最大关断延迟时间
- 90 ns
- 最大导通延迟时间
- 90 ns
- 湿敏性
- 是
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 1 Output
展开更多参数（8 项）
- 工作电源电流
- 1.3 mA
- 输出电流
- 4 A
- 产品
- Isolated Gate Drivers
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1.5 Ω
- 关断功能
- Shutdown
- 电源电压范围
- 3.1～5.5 V
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 单件重量
- 0.005291 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。