SI86S630EC-AS1
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-NB-16
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-NB-16 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录ISO7761FSDBQR
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 5 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SSOP-16 封装。SI86S631BC-IS1
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-NB-16
主要参数包括通道数 3 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 3750 Vrms、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-NB-16 封装。SI86S630EE-IS2R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-WB-16
主要参数包括通道数 3 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 6000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-WB-16 封装。SI86S631BC-AS1
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-NB-16
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-NB-16 封装。SI86S631BC-AS1R
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-NB-16
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 SOIC-NB-16 封装。MP18831-A4BGY-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、隔离电压 5000 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 2.215 W，采用 SOIC-16 封装。MP18831-A4BGY-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、隔离电压 5000 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 2.215 W，采用 SOIC-16 封装。MP18831-A4CGY-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、隔离电压 5000 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 2.215 W，采用 SOIC-16 封装。MP18851-A4BGLU-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：LGA-13
主要参数包括输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、隔离电压 2500 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 1.175 W，采用 LGA-13 封装。MP18851-A4BGLU-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：LGA-13
主要参数包括输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、隔离电压 2500 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 1.175 W，采用 LGA-13 封装。MC33GD3100B3EK
NXP Semiconductors · 封装：WSOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 5 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Channel Gate Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 WSOIC-32 封装。MC33GD3100B3EKR2
NXP Semiconductors · 封装：WSOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 5 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Channel Gate Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 WSOIC-32 封装。MC33GD3100BEK
NXP Semiconductors · 封装：WSOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 5 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Channel Gate Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 WSOIC-32 封装。MC33GD3100BEKR2
NXP Semiconductors · 封装：WSOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 5 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Channel Gate Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 WSOIC-32 封装。MGD3100BM38EK
NXP Semiconductors · 封装：WSOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 5 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Channel Gate Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 WSOIC-32 封装。MGD3100BM38EKR2
NXP Semiconductors · 封装：WSOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 5 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Channel Gate Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 WSOIC-32 封装。MGD3100BM58EK
NXP Semiconductors · 封装：WSOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 5 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Channel Gate Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 WSOIC-32 封装。SC900631BEKR2
NXP Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是、型号别名 935443693518。SC900633BEK
NXP Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是、型号别名 935443691574。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。