NXP Semiconductors
MGD3100BM58EK
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 5 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Channel Gate Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 WSOIC-32 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- Galvanically Isolated Gate Drivers
- 产品系列
- GD3100
- 封装
- WSOIC-32
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
技术参数
11 项参数- 通道数
- 1 个通道
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 原产国家或地区
- 中国
- 开发套件
- FRDMGD3100HB8EVM
- 湿敏性
- 是
- 产品
- IGBT, SiC Gate Driver
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 500 mohms
- 电源电压范围
- 5～40 V
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 类型
- Single Channel Gate Driver
- 型号别名
- 935444984574
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。