TS35P05GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TS40P05GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS40P06GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。CBRHDSH1-60
Central Semiconductor · 封装：HD-DIP
主要参数包括端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 60 V、最大浪涌电流 20 A、最大工作温度 + 125 C、长度 4.9 mm，采用 HD-DIP 封装。GBJ20G
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBJ-4 封装。EABS1JHRGG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 ABS-4 封装。EABS1GHRGG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 ABS-4 封装。RDBLS207G RDG
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。TS50P05GHC2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。KBJ804
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V，采用 KBJ-4 封装。GBU20D
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 200 V，采用 GBU-4 封装。GBU20B
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 100 V，采用 GBU-4 封装。GBU20G
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 400 V，采用 GBU-4 封装。HDBL102G C1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。HDBL104G C1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。HDBL103G C1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。HDBL101G C1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。GBU25G
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V，采用 GBU-4 封装。GBU25D
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V，采用 GBU-4 封装。RDBLS207GHRDG
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。