Taiwan Semiconductor
RDBLS207GHRDG
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
基本资料
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- Taiwan Semiconductor
- 产品类别
- Bridge Rectifiers
- 封装
- DBLS-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 类型
- Single Phase Bridge
- 正向电流（If）
- 2 A
- 峰值反向电压
- 1000 V
- 正向电压（Vf）
- 1.15 V
- 最大浪涌电流
- 50 A
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 长度
- 8.51 mm
- 宽度
- 6.5 mm
- 高度
- 2.6 mm
- 认证等级
- AEC-Q101
- 技术
- Si
- 反向电流（Ir）
- 2 uA
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 1.269863 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。