芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

DB151G

GeneSiC Semiconductor · 封装：DB

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。

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KBJ604

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ-4 封装。

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KBP302

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 200 V，采用 KBP-4 封装。

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DBLS155G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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GBPC5004T

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 400 V - 50 A

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KBJ2506G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。

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KBPC5004T

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 400 V - 50 A

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KBPC5001W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 100 V - 50 A

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GBPC1502T

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 200 V - 15 A

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KBPC2502T

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T/W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 KBPC-T/W 封装。

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KBP301

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 100 V，采用 KBP-4 封装。

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CBR10-J010

Central Semiconductor · 封装：CASE CM

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 CASE CM 封装。

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CBR10A-J080

Central Semiconductor

Bridge Rectifiers . .

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GBPC3506T

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 600 V - 35 A

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KBPC5001T

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 100 V - 50 A

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KBU8005

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V，采用 KBU-4 封装。

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TS50P07G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。

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KBJ808

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBJ-4 封装。

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GBJ6D

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.7 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBJ-4 封装。

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DBL103G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DBL-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。