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199,570 条型号记录
每页 20 条

BU25065S-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：BU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。
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DB101G

GeneSiC Semiconductor · 封装：DB

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。
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VUO62-18NO7

IXYS · 封装：PWS-D

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D 封装。
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LN1WBA60-7072

Shindengen · 封装：1W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1W 封装。
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2KPB005-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：KBPL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 60 A，采用 KBPL-4 封装。
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KBP2005G-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：$0.386

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 $0.386 封装。
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GBJA2510-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：JA-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 JA-4 封装。
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CDBHM240L-G

Comchip Technology · 封装：MBS-2-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 40 V、正向电压（Vf） 0.55 V、最大浪涌电流 50 A，采用 MBS-2-4 封装。
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MP502W-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MP-50

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C，采用 MP-50 封装。
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CDBHM290L-G

Comchip Technology · 封装：MBS-2-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 90 V、正向电压（Vf） 0.85 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBS-2-4 封装。
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GBJ806-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A，采用 GBJ-4 封装。
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MP501-BP

Micro Commercial Components (MCC)

Bridge Rectifiers RECT BRIDGE 50A 100V TAB
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BU12105S-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：BU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。
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BU15065S-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：BU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。
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G2SB20-E3/51

Vishay Semiconductors · 封装：GBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
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BU10085S-M3/45

Vishay Semiconductors

Bridge Rectifiers 10A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
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