GeneSiC Semiconductor
DB101G
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。
基本资料
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- GeneSiC Semiconductor
- 产品类别
- Bridge Rectifiers
- 产品系列
- DB10
- 封装
- DB
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
8 项参数- 端接方式
- 通孔安装
- 正向电流（If）
- 1 A
- 峰值反向电压
- 50 V
- 正向电压（Vf）
- 1.1 V
- 最大浪涌电流
- 30 A
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 反向电流（Ir）
- 5 uA
- 反向电压（Vr）
- 35 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。