RN2306(TE85L,F)
Toshiba · 封装：USM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 USM-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN2313(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SC-70 封装。RN1131MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：VESM-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120，采用 VESM-3 封装。RN2403(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-346-3 封装。RN1411T5LFT
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA。RN1404T5LFT
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。RN1405T5LFT
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。RN2406T5LFT
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。RN1410T5LFT
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-346-3 封装。RN4988(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.468、最小直流电流增益（hfe） 80, 80，采用 US-6 封装。RN4986(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80, 80，采用 US-6 封装。RN4985(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80, 80，采用 US-6 封装。RN1130MFV(TPL3)
Toshiba · 封装：VESM-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 VESM-3 封装。RN2405T5LFT
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。RN1406T5LFT
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。RN4989(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70, 70，采用 US-6 封装。RN1106MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。RN1110MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 700、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 150 mW。RN1105MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。RN1402S,LF(D)
Toshiba
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。