Toshiba
RN1110MFV(TPL3)
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 700、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 150 mW。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- RN1110MFV
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 700
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
- 最大工作温度
- + 150 C
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 50 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 120 @ 1mA @ 5V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。