DTB743EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 VMT-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录UMA8NTR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA。DTA114ECAT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-23-3 封装。DTC114GKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。EMF21T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30。DTB743ZETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 EMT-3 封装。UMB1NTN
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA。EMH6T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-6 封装。DTA144TETL
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。FMA10AT148
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 33、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V。FMC6AT148
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管。DTA144EEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-3F-3 封装。EMB9T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-6 封装。EMA8T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-5 封装。DTC125TKAT146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 200 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA。DTA143TUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 UMT-3F-3 封装。DTB723YMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 260 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 4.5，采用 VMT-3 封装。DTA123JUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21，采用 UMT-3F-3 封装。EMF8T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 270、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V。IMH14AT108
ROHM Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SC-74-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。