ChipSourceHub 美芯科技

ROHM Semiconductor

DTC114GKAT146

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 30、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA,采用 SC-59-3 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
DTC114GKA
封装
SC-59-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

16 项参数
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻
10 kOhms
最小直流电流增益(hfe)
30
最大集电极-发射极电压(VCEO)
50 V
连续集电极电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
耗散功率(Pd)
200 mW
最大工作温度
+ 150 C
最大直流电流增益(hFE)
30
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
高度
1.1 mm
展开更多参数(4 项)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
型号别名
DTC114GKA
单件重量
0.000282 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

DTC114GKAT146 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技