TDTC123J,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN1119MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-723-3 封装。RN2103MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms, 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-723-3 封装。RN2313,LF
Toshiba · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。RN1113MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-723-3 封装。RN1116MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-723-3 封装。RN1132MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 200 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-723-3 封装。RN1101(T5L,F,T)
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-416-3 封装。PIMD3F
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 230 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 TSOP-6 封装。RN1113MFV,L37F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。TDTC124E,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。TDTC144E,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。TDTC143Z,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN1704JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 ESV-5 封装。NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。RN1609(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SM-6 封装。RN1117MFV
Toshiba
该型号为晶体管。RN1602(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-26-6 封装。NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。ADC143TUQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。