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Toshiba

RN2313,LF

该型号为晶体管,主要参数包括最大工作频率 200 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 120、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-323-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Toshiba
产品类别
晶体管
产品系列
RN2313
封装
SOT-323-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻
47 kOhms
最小直流电流增益(hfe)
120
最大工作频率
200 MHz
最大集电极-发射极电压(VCEO)
50 V
连续集电极电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
耗散功率(Pd)
100 mW
最大工作温度
+ 150 C
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
通道模式
Enhancement
展开更多参数(2 项)
最大直流集电极电流
100 mA
单件重量
0.000212 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

RN2313,LF 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技