DCX143ZU-13R-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms, 47 kOhms、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-363-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TTA1713-Y,LF
Toshiba · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SMD-3 封装。RN1707,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN2703,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN2714,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN1703,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN1702,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN2105,LF(CT
Toshiba · 封装：SSM-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SSM-3 封装。RN2706,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN2421(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管。RN2705,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN2701,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN1708,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN1710,LF
Toshiba · 封装：USV-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-6 封装。RN1709,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN2704,LF
Toshiba · 封装：USV-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-6 封装。RN2702,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN2711(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-353-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-353-5 封装。RN1704,LF
Toshiba · 封装：USV-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。RN2109,LF(CT
Toshiba · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SMD-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。