Toshiba
RN1707,LF
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 USV-5 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- USV-5
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 配置
- Dual
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 50 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 最大直流集电极电流
- 100 mA
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。