BCR 141 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCR 162 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 158 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR133E6327XT
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 200 mW、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。BCR 108 E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR146E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 146 BCR BCR146E6327XT E6327 SP000010777、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR 166 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 146 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.14、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 116 E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR141E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 141 BCR BCR141E6327XT E6327 SP000010769、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCR 185 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 133 E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 130 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。BCR 192 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 119 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 35PN BCR BCR35PNH6327XT H6327 SP000757922、单件重量 0.000265 oz，采用 SOT-363-6 封装。BCR 505 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 533 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BCR 35PN H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR35PNH6327XT BCR35PNH6327XTSA1 SP000757922、单件重量 0.000219 oz。BCR 116S H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BCR116SH6327XT BCR116SH6327XTSA1 SP000752050、单件重量 0.000282 oz。BCR 583 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 70、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。