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Infineon Technologies

BCR133E6327XT

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 30、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率(Pd) 200 mW、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23 封装。

基本资料

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制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
晶体管
封装
SOT-23
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

9 项参数
晶体管极性
NPN
最小直流电流增益(hfe)
30
最大集电极-发射极电压(VCEO)
50 V
连续集电极电流
100 mA
耗散功率(Pd)
200 mW
最大工作温度
+ 150 C
认证等级
AEC-Q101
型号别名
133 BCR BCR133E6327HTSA1 E6327 SP000010757
单件重量
0.000282 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BCR133E6327XT 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技