KSC5338D
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 0.35 V，采用 TO-220-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SC6082-1E
ON Semiconductor · 封装：TO-220FP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 TO-220FP-3 封装。ZTX869STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-92-3 封装。BD242B
STMicroelectronics · 封装：TO-220AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 3 A、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-220AB-3 封装。MJB45H11T4G
ON Semiconductor · 封装：TO-263-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 5 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-263-3 封装。ZTX957
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 300 V、集电极－基极电压（VCBO） - 330 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 140 mV，采用 TO-92-3 封装。ZTX956STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） - 220 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-92-3 封装。ZTX948STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 4.5 A，采用 TO-92-3 封装。ZTX869
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 180 mV，采用 TO-92-3 封装。BUL39D
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 800 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1.1 V，采用 TO-220-3 封装。BUL49D
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 850 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-220-3 封装。D45H11FP
STMicroelectronics · 封装：TO-220FP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1 V、最大直流集电极电流 - 20 A，采用 TO-220FP-3 封装。ZXT12N50DXTA
Diodes Incorporated · 封装：MSOP-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、集电极－发射极饱和电压 135 mV，采用 MSOP-8 封装。2STP535FP
STMicroelectronics · 封装：TO-220FP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 180 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-220FP-3 封装。FJPF13009H2TU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220F-3 封装。ZDT1049TA
Diodes Incorporated · 封装：SM-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 SM-8 封装。NJVMJB44H11T4G
ON Semiconductor · 封装：D2PAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 D2PAK-3 封装。MJF18004G
ON Semiconductor · 封装：TO-220FP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 0.92 V，采用 TO-220FP-3 封装。BUT11AFTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-220-3 封装。FJAF4210OTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-3PF-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 200 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-3PF-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。