ChipSourceHub 美芯科技

STMicroelectronics

BUL39D

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 450 V、集电极-基极电压(VCBO) 800 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、集电极-发射极饱和电压 1.1 V,采用 TO-220-3 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
STMicroelectronics
产品类别
晶体管
产品系列
BUL39D
封装
TO-220-3
安装方式
通孔安装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
450 V
集电极-基极电压(VCBO)
800 V
发射极-基极电压(VEBO)
9 V
集电极-发射极饱和电压
1.1 V
最大直流集电极电流
4 A
工作温度范围
-65~150 °C
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
连续集电极电流
4 A
展开更多参数(3 项)
最小直流电流增益(hfe)
4
耗散功率(Pd)
70 W
单件重量
0.211644 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BUL39D 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技