DTC144EE-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-523 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录DTC144EUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。DTA123JUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。DTC143ZCA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。DTC143XCA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 30、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-23 封装。DTC124EUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。UMH1N-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、耗散功率（Pd） 150 mW、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363 封装。DTC114YUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。DTA144EUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。DTA114ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。DTA123JE-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-523 封装。DTA114EUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、耗散功率（Pd） 200 mW、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-323 封装。DTC143ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-23 封装。FMA8AT148
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 100 mA。EMD30T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms, 1 kOhms、典型电阻比 1, 10、最小直流电流增益（hfe） 30, 140，采用 EMT-6 封装。EMG9T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 100 mA。EMG11T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-5 封装。FMA7AT148
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 30、连续集电极电流 - 100 mA。UMC4NTR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 4.7、最小直流电流增益（hfe） 68。EMG1T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。