ROHM Semiconductor
EMD30T2R
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms, 1 kOhms、典型电阻比 1, 10、最小直流电流增益（hfe） 30, 140，采用 EMT-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- EMD30
- 封装
- EMT-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 配置
- Dual
- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 典型输入电阻
- 10 kOhms, 1 kOhms
- 典型电阻比
- 1, 10
- 最小直流电流增益（hfe）
- 30, 140
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V, - 30 V
- 连续集电极电流
- 100 mA, - 200 mA
- 峰值直流集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 30
- 高度
- 0.5 mm
展开更多参数（4 项）
- 长度
- 1.6 mm
- 宽度
- 1.2 mm
- 通道数
- 2 个通道
- 型号别名
- EMD30
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。