RN1308,LF
Toshiba · 封装：Reel
该型号为晶体管，采用 Reel 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RN1964TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。RN1502(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SMV-5 封装。RN4982,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。DTA114TU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。RN1904,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。DTA123JU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。RN1510(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120，采用 SMV-5 封装。NSBC123JDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。RN1413(TE85L,F)
Toshiba · 封装：TO-236-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120，采用 TO-236-3 封装。DTA144EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA123EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、连续集电极电流 - 0.1 A、耗散功率（Pd） 0.2 W、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-323-3 封装。RN4907FE,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563 封装。DTA123EEFRATL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-416-3 封装。DTA143XU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 2.1、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTC114EUA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz。DTC113ZCA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 33、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-23 封装。DTA124EUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。DTC124EE-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 56、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-523 封装。DTA143EUA-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SOT-323 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。