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ROHM Semiconductor

DTA123JU3HZGT106

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 21、连续集电极电流 - 100 mA,采用 SOT-323-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
封装
SOT-323-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

10 项参数
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻
2.2 kOhms
典型电阻比
21
连续集电极电流
- 100 mA
耗散功率(Pd)
200 mW
工作温度范围
-55~150 °C
输出电压
- 100 mV
通道模式
Enhancement
最大直流集电极电流
- 100 mA

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

DTA123JU3HZGT106 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技