DTA113ZU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC015EUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 40 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1，采用 UMT-3 封装。RN1103,LF(CT
Toshiba
该型号为晶体管。DTC143EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 100 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。RN2906,LF
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 US-6 封装。NSBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。RN1607(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SM-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213，采用 SM-6 封装。RN2404,LF
Toshiba
该型号为晶体管。RN1412TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-346-3 封装。RN2502(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SMV-5 封装。NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。SSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。RN1505(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.0468，采用 SMV-5 封装。RN1506(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1，采用 SMV-5 封装。RN1706JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：ESV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1，采用 ESV-5 封装。RN1911FETE85LF
Toshiba · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-563 封装。DDTC122LE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.022、最小直流电流增益（hfe） 56、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-523-3 封装。RN2301,LF
Toshiba
该型号为晶体管。DTC143TU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。DTA115EU3HZGT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 100 mV、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、连续集电极电流 - 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。