Toshiba
RN2906,LF
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 US-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- RN2906
- 封装
- US-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 典型输入电阻
- 4.7 kOhms
- 典型电阻比
- 0.1
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 50 V
- 连续集电极电流
- - 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 集电极－基极电压（VCBO）
- - 50 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 5 V
- 高度
- 0.9 mm
- 长度
- 2 mm
- 类型
- PNP Epitaxial Silicon Transistor
展开更多参数（2 项）
- 宽度
- 1.25 mm
- 最大直流集电极电流
- - 100 mA
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。