ZTX855STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 210 mV，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZTX795ASTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 140 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 TO-92-3 封装。BUX87
STMicroelectronics · 封装：SOT-32-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-32-3 封装。PBSS4032SN,115
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 140 MHz、连续集电极电流 5.7 A，采用 SO-8 封装。ST13005
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220-3 封装。FZT968TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 360 mV，采用 SOT-223-4 封装。NJVMJD148T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101、型号别名 NJVMJD148T4G-VF01。NZT44H8
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 8 A、增益带宽积（fT） 50 MHz，采用 SOT-223-4 封装。KSE44H11
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 10 A，采用 TO-220-3 封装。MJD3055T4
STMicroelectronics · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.1 V，采用 TO-252-3 封装。TTC008(Q)
Toshiba · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 285 V、集电极－基极电压（VCBO） 600 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-251-3 封装。NJVMJD42CRLG
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。FJPF13007H2TU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220F-3 封装。FJPF13007H1TTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 3 V，采用 TO-220F-3 封装。2ST31A
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-220-3 封装。ZTX1053A
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-92-3 封装。ZTX692BSTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 70 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。2N6111G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 3.5 V，采用 TO-220-3 封装。APT13005DT-G1
Diodes Incorporated · 封装：TO-220AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 900 mV、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-220AB-3 封装。MJD45H11T4
STMicroelectronics · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-252-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。