Diodes Incorporated
APT13005DT-G1
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 900 mV、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-220AB-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- APT13005
- 封装
- TO-220AB-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 450 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 9 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 900 mV
- 最大直流集电极电流
- 8 A
- 增益带宽积（fT）
- 4 MHz
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 35 at 2 A, 5 V
- 最小直流电流增益（hfe）
- 8 at 2 A, 5 V
- 耗散功率（Pd）
- 75 W
- 单件重量
- 0.081130 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。