PDTC115TT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC144WET1G
ON Semiconductor · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-75-3 封装。DTA043ZEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 EMT-3F-3 封装。NSVBCP69T1G
ON Semiconductor · 封装：TO-261-4
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 60 MHz、配置 Single Dual Collector、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、连续集电极电流 1 A，采用 TO-261-4 封装。RN1106MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。PUMH9,165
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 TSSOP-6 封装。SMUN5133T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DTC043TUBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 UMT-3F-3 封装。RN1102MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-723 封装。DDTC144ECA-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-23-3 封装。DTC115EKAT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 82、连续集电极电流 20 mA，采用 SC-59-3 封装。DTA014YEBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.07 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 4.7，采用 EMT-3F-3 封装。FMG9AT148
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V。DDC143TU-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。DTA124XETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 EMT-3 封装。UMB3NTN
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。UMB2NTN
ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 TUMT-6 封装。FMA5AT148
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual Common Emitter、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.048、最小直流电流增益（hfe） 80、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-25-5 封装。DTB513ZETL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 10、最小直流电流增益（hfe） 140、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V，采用 EMT-3 封装。DDC114TU-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。