ON Semiconductor
NSVBCP69T1G
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 60 MHz、配置 Single Dual Collector、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、连续集电极电流 1 A，采用 TO-261-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BCP69
- 封装
- TO-261-4
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 配置
- Single Dual Collector
- 晶体管极性
- PNP
- 最小直流电流增益（hfe）
- 50
- 最大工作频率
- 60 MHz
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 20 V
- 连续集电极电流
- 1 A
- 耗散功率（Pd）
- 1.5 W
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 25 V
- 高度
- 1.65 mm
- 长度
- 6.7 mm
- 宽度
- 3.7 mm
展开更多参数（2 项）
- 认证等级
- AEC-Q101
- 单件重量
- 0.010582 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。