NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000219 oz。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSVMUN5111DW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 200 mV、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35。IMD16AT108
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 100。EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-553-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual Common Base and Collector、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1, 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-553-5 封装。NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。EMD6T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 EMT-6 封装。DTC123EMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 VMT-3 封装。NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-963-6 封装。RN2702JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SMV-5 封装。UMF5NTR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SOT-363-6 封装。RN1422TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 800 mA，采用 SOT-23-3 封装。RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMV-5
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、最大工作频率 200 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1，采用 SMV-5 封装。PBLS6024D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 285、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V，采用 TSOP-6 封装。EMF18XV6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-563-6 封装。RN1424TE85LF
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 800 mA，采用 SOT-23-3 封装。NSB9435T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 125、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、连续集电极电流 3 A，采用 SOT-223-4 封装。QSH29TR
ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 500、最大集电极－发射极电压（VCEO） 70 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SMT-6 封装。NSV9435T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括湿敏性 是、认证等级 AEC-Q101。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。