ON Semiconductor
NSVMUN5111DW1T3G
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 200 mV、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 35。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 配置
- Dual
- 晶体管极性
- PNP
- 典型输入电阻
- 10 kOhms
- 典型电阻比
- 1
- 最小直流电流增益（hfe）
- 35
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 385 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 输出电压
- 200 mV
- 认证等级
- AEC-Q101
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。