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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

NSBC114TPDXV6T1G

ON Semiconductor · 封装:SOT-563-6

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 160、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 0.1 A,采用 SOT-563-6 封装。

NSBA124EF3T5G

ON Semiconductor · 封装:SOT-1123

该型号为晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 Digital Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1,采用 SOT-1123 封装。

PDTA144VMB,315

Nexperia · 封装:DFN-1006-3

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1006-3 封装。

NSBA123EDXV6T1G

ON Semiconductor · 封装:SOT-563-6

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 8、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-563-6 封装。

ADC114EUQ-13

Diodes Incorporated · 封装:SOT-363-6

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 30,采用 SOT-363-6 封装。

PDTA115TMB,315

Nexperia · 封装:DFN-1006-3

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1006-3 封装。

NSBC144EDXV6T5G

ON Semiconductor · 封装:SOT-563-6

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-563-6 封装。

PDTA144WMB,315

Nexperia · 封装:DFN-1006-3

该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1006-3 封装。

NSBA114EDP6T5G

ON Semiconductor · 封装:SOT-963-6

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA,采用 SOT-963-6 封装。

NSBC144EPDP6T5G

ON Semiconductor · 封装:SOT-963-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-963-6 封装。

NSBA114YDXV6T1G

ON Semiconductor · 封装:SOT-563-6

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.021、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-563-6 封装。

PUMB16,115

Nexperia · 封装:TSSOP-6

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.476、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA,采用 TSSOP-6 封装。

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