NSBC114TPDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装:SOT-563-6
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 160、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 0.1 A,采用 SOT-563-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ON Semiconductor · 封装:SOT-563-6
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 160、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 0.1 A,采用 SOT-563-6 封装。ON Semiconductor
该型号为晶体管。ON Semiconductor
该型号为晶体管。ON Semiconductor · 封装:SOT-1123
该型号为晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 Digital Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1,采用 SOT-1123 封装。Nexperia · 封装:DFN-1006-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1006-3 封装。ON Semiconductor
该型号为晶体管。ON Semiconductor · 封装:SOT-563-6
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 8、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-563-6 封装。ON Semiconductor
该型号为晶体管。Diodes Incorporated · 封装:SOT-363-6
该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 30,采用 SOT-363-6 封装。Nexperia · 封装:DFN-1006-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1006-3 封装。ON Semiconductor
该型号为晶体管。ON Semiconductor · 封装:SOT-563-6
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-563-6 封装。Nexperia · 封装:DFN-1006-3
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101,采用 DFN-1006-3 封装。ON Semiconductor · 封装:SOT-963-6
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA,采用 SOT-963-6 封装。ON Semiconductor
该型号为晶体管。ON Semiconductor
该型号为晶体管。ON Semiconductor
该型号为晶体管。ON Semiconductor · 封装:SOT-963-6
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-963-6 封装。ON Semiconductor · 封装:SOT-563-6
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.021、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-563-6 封装。Nexperia · 封装:TSSOP-6
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.476、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、连续集电极电流 100 mA,采用 TSSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。