ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1G
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.021、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- NSBA114YDXV6
- 封装
- SOT-563-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 配置
- Dual
- 晶体管极性
- PNP
- 典型输入电阻
- 10 kOhms
- 典型电阻比
- 0.021
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- - 0.1 A
- 峰值直流集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 357 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 80
- 高度
- 0.55 mm
展开更多参数（3 项）
- 长度
- 1.6 mm
- 宽度
- 1.2 mm
- 单件重量
- 0.000106 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。