PDTA143TMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DTC124XETL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 68、连续集电极电流 50 mA，采用 SOT-416-3 封装。NSBC143ZF3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PDTB113ZUX
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-323-3 封装。NSBA143TDXV6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 - 0.1 A，采用 SOT-563-6 封装。DDTA144EE-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 PNP Pre-Biased Small Signal SOT-523 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 68，采用 SOT-523-3 封装。NSBC143TDXV6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-563-6 封装。NSVMUN5333DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363 封装。PDTD114EUX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PDTB143EUX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。RN4904,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SC-88-6 封装。PIMD2,125
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSOP-6 封装。SMMUN2216LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000042 oz。PDTA113EMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。PDTC114EMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。NSBA124EDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。DCX124EUQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。