ON Semiconductor
NSVMUN5333DW1T1G
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- DTC143ZP
- 封装
- SOT-363
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 配置
- Dual
- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 典型输入电阻
- 4.7 kOhms
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 峰值直流集电极电流
- 500 mA
- 耗散功率（Pd）
- 187 mW
- 最大工作温度
- + 150 C
- 通道数
- 2 个通道
- 认证等级
- AEC-Q101
- 单件重量
- 0.001199 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。