NSB4904DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-323-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-323-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PDTC123TM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。ADTA114ECAQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-23-3 封装。SMUN5215T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PDTC143TM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。SMUN5115T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000212 oz。DTA114YM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80, 140、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-723-3 封装。SBC817-40LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 250、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、连续集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。PDTC124EQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。PDTC144VM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 4.76、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。RN1405S,LF
Toshiba · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SC-59 封装。MUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000219 oz。MUN2130T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。RN2302,LF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000212 oz。PDTC114YM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。MUN5333DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SC-88-6 封装。PDTC114TM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、峰值直流集电极电流 100 mA，采用 DFN-1006-3 封装。MUN5114DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88-6 封装。MUN5213DW1T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括类型 Dual Bias Resistor Transistor、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。