ON Semiconductor
MUN5213DW1T3G
该型号为晶体管，主要参数包括类型 Dual Bias Resistor Transistor、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MUN5213DW1
- 封装
- SOT-363
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 典型输入电阻
- 47 kOhms
- 典型电阻比
- 1
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 耗散功率（Pd）
- 187 mW, 256 mW
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 50 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 140
- 高度
- 0.95 mm
- 长度
- 2 mm
- 类型
- Dual Bias Resistor Transistor
- 宽度
- 1.25 mm
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.000212 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。