PDTA123TM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 DFN-1006-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DDTD122LC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括类型 NPN Pre-Biased 500 ma SOT-23 Surface Mount Transistor、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、典型电阻比 0.022、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 SOT-23-3 封装。DDTD122TC-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 220 Ohms、最小直流电流增益（hfe） 56、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88-6 封装。MUN5136DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88-6 封装。MUN2214T3G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。MUN2131T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。MUN5330DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-88-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3，采用 SC-88-6 封装。MUN2137T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。MUN2116T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。MUN2115T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SC-59-3 封装。MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363(PB-Free)-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363(PB-Free)-6 封装。MUN2136T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。MUN2140T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 120、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。MUN2134T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 0.47、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。MUN2132T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 15、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59 封装。MUN2241T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SC-59-3 封装。MUN2236T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。MUN2231T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-59-3 封装。RN2130MFV,L3F
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 SOT-723-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。