Toshiba
RN2130MFV,L3F
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 100，采用 SOT-723-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- RN2130
- 封装
- SOT-723-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- PNP
- 典型输入电阻
- 100 kOhms
- 典型电阻比
- 1
- 最小直流电流增益（hfe）
- 100
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 50 V
- 连续集电极电流
- - 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
- 最大工作温度
- + 150 C
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 10 V
- 通道数
- 1 个通道
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。