PDTC114YTVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PQMH2Z
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010B-6 封装。PDTA143XTVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。ADTC114EUAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。DTD114GCT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 DTD114GC。EMB61T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-6 封装。ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms, 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-363-6 封装。PQMH13Z
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010B-6 封装。DTC024XMT2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 2.1，采用 VMT-3 封装。RN1101MFV,L3F
Toshiba · 封装：VESM-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 VESM-3 封装。ADTA114EUAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。EMD62T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV, - 70 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 EMT-6 封装。EMH75T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 50 mV、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 10，采用 EMT-6 封装。ADTC144EUAQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-323-3 封装。ADC114YUQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms, 47 kOhms、典型电阻比 0.2，采用 SOT-363-6 封装。DTB114GCT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 DTB114GC。RN1104,LF(CT
Toshiba · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SC-75-3 封装。ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V, - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 22 kOhms, 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-363-6 封装。ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 - 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms, 47 kOhms、典型电阻比 0.2，采用 SOT-363-6 封装。ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.1 V、最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 22 kOhms、典型电阻比 1，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。