Toshiba
RN1101MFV,L3F
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 1，采用 VESM-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- RN1101
- 封装
- VESM-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 典型输入电阻
- 4.7 kOhms
- 典型电阻比
- 1
- 最小直流电流增益（hfe）
- 30
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 耗散功率（Pd）
- 150 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 50 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 10 V
- 高度
- 0.5 mm
- 长度
- 1.2 mm
展开更多参数（5 项）
- 工作温度范围
- - 55 C to + 150 C
- 类型
- NPN Epitaxial Silicon Transistor
- 宽度
- 0.8 mm
- 通道数
- 1 个通道
- 通道模式
- Enhancement
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。