MMBTA42Q-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MMBTA55Q-13-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MMBTA92Q-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MMBTH10Q-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT23-3 封装。NJVMJD243T4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NJVMJD253T4G
onsemi · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 封装。NJVMJD31CT4G
onsemi · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 15 W、最小工作温度 - 65 C，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。NJW21193G
onsemi · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-3P-3 封装。NJW21194G
onsemi · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 16 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V，采用 TO-3P-3 封装。SHN1B01FDW1T1G
onsemi · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SC-74-6 封装。SJD127T4G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、组装国家或地区 VN、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 SJD127T4G-VF01。SMBT1231LT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。SMBT1504T3G
onsemi · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。SMBT1587T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 马来西亚、原产国家或地区 马来西亚。SMBT3904DW1T1G
onsemi · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-363-6 封装。2SAR372P5T100R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 SOT-89-3 封装。2SAR372PHZGT100R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 SOT-89-3 封装。2SARA41CT116S
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 SOT-23-3 封装。2SAR375P5T100R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 SOT-89-3 封装。2SAR375PHZGT100R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。