onsemi
NJVMJD31CT4G
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 15 W、最小工作温度 - 65 C，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MJD31
- 封装
- DPAK-3 (TO-252-3)
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
12 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 100 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 耗散功率（Pd）
- 15 W
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 认证等级
- AEC-Q100
- 连续集电极电流
- 3 A
- 组装国家或地区
- VN
- 晶圆制造国家或地区
- 马来西亚
- 原产国家或地区
- VN
- 单件重量
- 0.009185 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。