芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

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MJE15033G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V，采用 TO-220-3 封装。

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MJE181G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJE15034G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 TO-220-3 封装。

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MJE15035G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V，采用 TO-220-3 封装。

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MJE170G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJE171G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJE172G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJE18004G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV，采用 TO-220-3 封装。

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MJE18008G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV，采用 TO-220-3 封装。

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MJE180G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-225-3 封装。

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MJF15031G

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 TO-220FP-3 封装。

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NST65011MW6T1G

onsemi · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-363-6 封装。

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MJF18004G

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV，采用 TO-220FP-3 封装。

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MJF18008G

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV，采用 TO-220FP-3 封装。

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MJF2955G

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V，采用 TO-220FP-3 封装。

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MJF3055G

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V，采用 TO-220FP-3 封装。

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MJF31CG

onsemi · 封装：TO-220FP-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-220FP-3 封装。

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NST4617MX2T5G

onsemi · 封装：X2DFN-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 X2DFN-3 封装。

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NST489AMT1G

onsemi · 封装：TSOP-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TSOP-6 封装。

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NST65010MW6T1G

onsemi · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-363-6 封装。

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