onsemi
NST65011MW6T1G
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-363-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- NST65011M
- 封装
- SOT-363-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
15 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Dual
- 最大直流集电极电流
- 100 mA
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 65 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 80 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 600 mV
- 耗散功率（Pd）
- 380 mW
- 增益带宽积（fT）
- 100 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 组装国家或地区
- 中国
展开更多参数（3 项）
- 晶圆制造国家或地区
- 马来西亚
- 原产国家或地区
- 中国
- 单件重量
- 0.000265 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。