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BD437G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 TO-225-3 封装。
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BD437TG

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V，采用 TO-225-3 封装。
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BD439G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-225-3 封装。
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BD441G

onsemi · 封装：TO-225-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-225-3 封装。
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BUV22G

onsemi · 封装：TO-204-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 40 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 TO-204-2 封装。
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D44VH10G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-220-3 封装。
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CPH3116-TL-E

onsemi · 封装：CPH-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 CPH-3 封装。
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CPH3216-TL-E

onsemi · 封装：CPH-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 CPH-3 封装。
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CPH5520-TL-E

onsemi · 封装：CPH-5

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V, 50 V，采用 CPH-5 封装。
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CPH5524-TL-E

onsemi · 封装：SOT-23-5

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V, 50 V，采用 SOT-23-5 封装。
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CPH6123-TL-E

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
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CPH6223-TL-E

onsemi · 封装：SOT-457-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-457-6 封装。
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D44H11G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。
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D44H8G

onsemi · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。
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KSA1013YTA

onsemi · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 TO-92-3 封装。
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KSC1008YBU

onsemi · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-92-3 封装。
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KSA1015YTA

onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
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KSA1281YTA

onsemi · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-92-3 封装。
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KSA1298YMTF

onsemi · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
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KSA928AYTA

onsemi · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 TO-92-3 封装。
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