ChipSourceHub 美芯科技

onsemi

KSC1008YBU

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V,采用 TO-92-3 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
onsemi
产品类别
晶体管
产品系列
KSC1008
封装
TO-92-3
安装方式
通孔安装
包装方式
散装

技术参数

17 项参数
技术
Si
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大直流集电极电流
700 mA
最大集电极-发射极电压(VCEO)
60 V
集电极-基极电压(VCBO)
80 V
发射极-基极电压(VEBO)
8 V
集电极-发射极饱和电压
200 mV
耗散功率(Pd)
800 mW
增益带宽积(fT)
50 MHz
最大工作温度
+ 150 C
连续集电极电流
700 mA
展开更多参数(5 项)
原产国家或地区
中国
最小直流电流增益(hfe)
40
最大直流电流增益(hFE)
400
型号别名
KSC1008YBU_NL
单件重量
0.006314 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

KSC1008YBU 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技