BCP53-16T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录FZTA92TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 300 V、集电极－基极电压（VCBO） - 300 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-223 封装。2DB1713-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 SOT-89-3 封装。HN4C06J-BL(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000494 oz。MMSTA55-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 SOT-323-3 封装。PBSS5240ZF
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 650 mV，采用 SOT-223-3 封装。APT13005SI-G1
Diodes Incorporated · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV、最大直流集电极电流 6.4 A，采用 TO-251-3 封装。MCH3109-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 3 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 CPH-3 封装。MCH6101-TL-E
ON Semiconductor · 封装：MCPH-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 1.5 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 1 W，采用 MCPH-6 封装。NST857BF3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-1123-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-1123-3 封装。BC69-16PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 32 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BF820,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.05 A，采用 SOT-23-3 封装。30A02MH-TL-H
ON Semiconductor · 封装：MCPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、连续集电极电流 - 700 mA、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 600 mW，采用 MCPH-3 封装。BC858BWT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.6 V，采用 SOT-323-3 封装。30C02MH-TL-E
ON Semiconductor · 封装：MCPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 700 mA、最小直流电流增益（hfe） 300、耗散功率（Pd） 600 mW，采用 MCPH-3 封装。CPH3101-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 2 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 900 mW，采用 CPH-3 封装。KSB772YSTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 TO-126-3 封装。DSS4140V-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-563-6 封装。MMDT2227Q-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V, - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V, - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。APT13005SU-G1
Diodes Incorporated · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 6.4 A，采用 TO-126-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。